齋藤巧夢さん（理工学研究科材料機能工学専攻修士課程2年、半導体工学研究室）

低温成長AlGaN UV-B レーザーにおけるキャリア注入効率50%の達成

「結晶工学分科会 分科会発表奨励賞」は、第4回結晶工学講演会 (2025) において優れた研究発表を行った者に授与される賞です。本研究では、殺菌や医療、環境モニタリングなど幅広い応用が期待される深紫外レーザーダイオード（UV-B LD）の高効率化に取り組みました。シミュレーションによる構造設計と実験を組み合わせ、材料界面の急峻性がキャリア輸送とデバイス性能に与える影響を体系的に解明しました。従来、高品質AlGaN成長には1000～1300℃が用いられてきましたが、775℃という低温成長を適用することで、注入効率を従来の15％から50％へ向上させました。さらに、サファイア基板上のUV-B領域（約318 nm）で世界初となるCW発振を実現し、深紫外光源の実用化に向けた重要な成果として高く評価され、今回の受賞に至りました。