西林到真さん（理工学研究科 材料機能工学専攻 修士課程1年、半導体（岩谷素顕教授）研究室）

日本結晶成長学会　第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　発表奨励賞

2022年11月25日

LLOを用いたUV-B AlGaN系発光素子の縦伝導デバイスの作製

発表奨励賞とは、日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会が若手会員に対して、結晶成長及び関連の研究での発展に貢献する優秀な論文を発表した若手会員に対して授与されます。本発表では、深紫外領域の半導体レーザの高出力化に向けて、従来の横伝導デバイスとは異なる、縦伝導デバイスの研究成果について発表しました。これはレーザリフトオフ(LLO)というプロセス技術を用いて絶縁性のサファイア基板を剥離する方法で作製しました。結果としては発振には至らなかったものの、研究課程や今後の研究成果への期待が評価され、本受賞につながりました。現在は発振に向けプロセス工程の見直し、縦伝導デバイスの作製を行っています。