大学院理工学研究科半導体工学研究室の大角純也さん（材料機能工学専攻修士課程1年、指導教員：岩谷素顕准教授）が9月10日（現地時間）、イタリアのボローニャで開かれた「第5回結晶成長に関する会議（Fifth European Conference on Crystal Growth）」で、基調講演者（Keynote Speaker）として発表しました。
タイトルは「Analysis of Critical thickness for generated misfit dislocation in GaInN/GaN superlattice on GaN by In situ X-ray diffraction（和訳：その場観察X線回折法によるGaInN/GaN超格子のミスフィット転位発生の臨界膜厚の観察」です。
GaInN(ガリウム?インジウム?ナイトライド)とGaN（ガリウム?ナイトライド）の結晶の成長中の変化を、X線を用いた特殊な手法で解析しました。
論文の内容がプログラム委員会に高く評価され、一般講演での論文投稿であったものが格上げされて今回の基調講演になりました。学生が基調講演者に選ばれることは極めてまれです。
大角さんは「初めての海外で、英語による発表も初めてで大変緊張しました。ディスカッションではネイティブの発音が聞き取れないことや意味を取ることに苦労しました。次回の国際学会ではより高いレベルでのディスカッションができるように頑張りたいです」と話しました。さらに、「高価な装置であり、窒素やアンモニアガスなどを使うため1回の実験にかかる費用も多額にのぼるのに、修士1年でも使わせてもらえるのはありがたいということと高いレベルの研究に従事できて良かったです」と感謝していました。